Nathanweg, Kowloon, Hongkong, 208-212 de universele bouw, ruimte 1001
Thuis Producten

De voorbijgaande Diode van het Voltageontstoringsapparaat

Certificaat
Van goede kwaliteit automobielbladzekeringen voor verkoop
Van goede kwaliteit automobielbladzekeringen voor verkoop
Klantenoverzichten
Ons project is zeer ingewikkeld. Het Zhuolunteam hielp ons met succes om de kosten te drukken en de efficiency van het project te verhogen. Dank u!

—— Alcatel Lucent

De ernstige en verantwoordelijke professionele houding en de hoogst professionele het werkstijl hebben effectief de tenuitvoerlegging van ons project bevorderd.

—— Labram Adams

Een betrouwbare vriend loste snel mijn probleem op.

—— Alfred

Ik ben online Chatten Nu

De voorbijgaande Diode van het Voltageontstoringsapparaat

(33)
China IPD70R1K4P7S het Effect van het de Transistorgebied van de reeks700v CoolMOS P7 Macht MOS Buis fabriek

IPD70R1K4P7S het Effect van het de Transistorgebied van de reeks700v CoolMOS P7 Macht MOS Buis

IPD70R1K4P7S het Effect van het de Transistorgebied van de reeks700v CoolMOS P7 Macht MOS Buis Eigenschappen • Uiterst - lage verliezen toe te schrijven aan zeer lage FOM RDS () *Qg en RDS () *Eoss • ... Read More
2018-12-27 15:14:23
China FET 700V CoolMOS MOS van de de Machtstransistor van Ce triode van de buis de voorbijgaande afschaffing fabriek

FET 700V CoolMOS MOS van de de Machtstransistor van Ce triode van de buis de voorbijgaande afschaffing

IPD70R1K4CE, IPS70R1K4CE FET 700V CoolMOS CE Power Transistor MOS buis Kenmerken • Extreem lage verliezen door zeer lage FOM Rdson * Qg en Eoss • Zeer hoge commutatie-robuustheid • Eenvoudig te gebruiken / ... Read More
2018-12-27 15:14:07
China van de de Machtstransistor IPA80R1K4P7 MOS van 800V CoolMOS P7 het effect van het de buisgebied transistor fabriek

van de de Machtstransistor IPA80R1K4P7 MOS van 800V CoolMOS P7 het effect van het de buisgebied transistor

de buis van de de Machtstransistor IPA80R1K4P7 MOS van 800V CoolMOSª P7 Eigenschappen • Best-in-klasse FOM RDS () * Eoss; verminderde Qg, Ciss, en Coss • Best-in-klasse DPAK RDS () • Best-in-klasse V (GS) Th ... Read More
2018-12-27 15:04:54
China van de de Machtstransistor IPA80R1K4CE van Ce van 800V CoolMOSTM het Gebiedseffect Transistor fabriek

van de de Machtstransistor IPA80R1K4CE van Ce van 800V CoolMOSTM het Gebiedseffect Transistor

van de de Machtstransistor IPA80R1K4CE van Ce van 800V CoolMOSTM het Gebiedseffect Transistor Beschrijving CoolMOS™ce is een revolutionaire technologie voor hoogspanningsmacht MOSFETs. Het hoogspanningsvermoge... Read More
2018-12-27 15:03:36
China Pg-to247-3 Infineon-gebiedseffect MOS van de buis lage elektromagnetische reeks interferentie fabriek

Pg-to247-3 Infineon-gebiedseffect MOS van de buis lage elektromagnetische reeks interferentie

Pg-to247-3 Infineon-gebiedseffect MOS van de buis lage elektromagnetische reeks interferentie Toepassingen: • Het aanleidinggevende koken • Inverterizedmagnetronnen • Resonerende convertors • Zachte omschakelin... Read More
2018-12-27 15:03:06
China Db-s het Ontstoringsapparaatdiode 4 de Brug van de Speldgelijkrichter Db207s van het Reeks Voorbijgaande Voltage fabriek

Db-s het Ontstoringsapparaatdiode 4 de Brug van de Speldgelijkrichter Db207s van het Reeks Voorbijgaande Voltage

OB-s brug van de reeksgelijkrichter 4 van het de diodedb207s Voorbijgaande Voltage van de speldgelijkrichter het Ontstoringsapparaatdiode Eigenschappen Deze die reeks is UL onder de Erkende Componentenindex ... Read More
2018-12-27 14:55:30
China De Stop van de gelijkrichterbrug in Diodegbp Reeks Gbp410 met Soldeersel Geplateerde Terminals fabriek

De Stop van de gelijkrichterbrug in Diodegbp Reeks Gbp410 met Soldeersel Geplateerde Terminals

GBP-van de de brug de insteekdiode GBP410 van de reeksgelijkrichter Diode van het het Voltageontstoringsapparaat Voorbijgaande EIGENSCHAPPEN De classificatie van de schommelingsoverbelasting - 75 ampères piek ... Read More
2018-12-27 14:55:12
China Stop in de Voorbijgaande Brug van de de Diodegelijkrichter van het Voltageontstoringsapparaat Gbl4005 aan Gbl410 fabriek

Stop in de Voorbijgaande Brug van de de Diodegelijkrichter van het Voltageontstoringsapparaat Gbl4005 aan Gbl410

Het voorbijgaande van de de Diodegbl4005-gbl410 Gelijkrichter van het Voltageontstoringsapparaat plug-in van de de brugreeks diod EIGENSCHAPPEN De classificatie van de schommelingsoverbelasting - 135 ampères ... Read More
2018-12-27 14:54:45
China Bruggelijkrichter 3 de Gepassiveerde Diode van de Ampèrediode Kbp310 Glas voor Kringsraad fabriek

Bruggelijkrichter 3 de Gepassiveerde Diode van de Ampèrediode Kbp310 Glas voor Kringsraad

Van het de Gelijkrichterkbp310 Voorbijgaande Voltage van de 3,0 AMPÈREglas Gepassiveerde Brug het Ontstoringsapparaatdiode Eigenschappen Ideaal voor gedrukte kringsraad De classificatie van de schommelingsoverb... Read More
2018-12-27 14:54:24
China Van de de Bruggelijkrichter D3k606 van de enige Fasediode Hoge het Geval Diëlektrische Sterkte fabriek

Van de de Bruggelijkrichter D3k606 van de enige Fasediode Hoge het Geval Diëlektrische Sterkte

De eenfasige Glas Gepassiveerde Diode van het het Voltageontstoringsapparaat van de Bruggelijkrichter D3K606 Voorbijgaande VOLTAGEwaaier 50 tot 1000 Volts HUIDIGE 4,0 Ampère Eigenschappen Ideaal voor gedrukte ... Read More
2018-12-27 14:54:00
Page 1 of 4|< 1 2 3 4 >|